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年钼业年评(3)
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摘要:孙[6]等以过氧化钼为催化活性中心,采用后修饰法制备了以金属有机框架为载体的UiO-67-MoO(O2)2催化剂,结果表明,在极性小的反应溶剂中制备时,环氧丙烷
孙[6]等以过氧化钼为催化活性中心,采用后修饰法制备了以金属有机框架为载体的UiO-67-MoO(O2)2催化剂,结果表明,在极性小的反应溶剂中制备时,环氧丙烷的产率较高。实验中,以过氧化氢异丙苯为氧化剂,二氯甲烷为溶剂,在丙烯压力为0.6 MPa、反应温度为80 ℃、反应时间为6 h的条件下,过氧化氢异丙苯的转化率为52.2%,环氧丙烷的产率为20.9%,且反应后的催化剂骨架仍保持完整。
最近的研究开发了单原子催化剂(SACS)。SACS用于以电化学的方法还原氮的反应(NRR)。SACS 的利用率可达100%,催化选择性也很高。SACS的载体多使用N型掺杂基体。Yang等[7]研究在二硫化钼上固定钼的单原子催化剂用于固氮作用。该研究将单层二硫化钼用做SACS的基体。通过对Ag、 Au、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、 Pd、Pt、Rh、Ru、Sc、Ti、V、W和 Zn的筛选,研究发现把Mo单原子固定于MoS2中的Mo之上(Mo@ MoS2-M)具有最好的NRR性能。作者估计Mo@ MoS2-M的过电位约0.28 V。研究结果已证实,相比释氢反应,Mo@ MoS2-M对于NRR具有更好的稳定性及选择性。
António Mário等[8]以水热法原位合成MoS2/蒙脱石纳米片,合成的MoS2/MMT复合材料用于从水中脱汞。拉曼、XRD、FTIR实验结果显示,复合材料中MoS2和MMT混合良好。HRTEM图像显示,混合物中MoS2的边缘清晰,证明蒙脱石纳米片可以作为MoS2的生长基体。研究结果也证实,MoS2/MMT对于从水中移除Hg2+的脱除效率高,结果可达1 836 mg/g。研究认为,该反应动力学遵循伪一级反应模型,等温模型符合朗缪尔模型。依照该模型,Hg2+吸收的最佳温度为25~35 ℃。经XPS测试,结果显示,S及少量的O是MoS2/MMT的主要Hg2+吸收元素。研究证实,负载MoS2的MMT基体可以作为从水溶液中移除重金属的高效吸收剂。
3.3 材料工程
钼的电导率较高,约为铜的1/3,电子特性良好,适用于电子器件。Sen Yang等[9]制备N-P掺杂的MoC@C/普鲁士蓝/石墨毡复合电极用于检测多巴胺。该研究以钼磷酸与聚吡咯反应,再经碳热还原制成N-P掺杂的MoC@C。N-P掺杂的MoC@C球加速PB(普鲁士蓝)从K3[Fe(CN)6] 和FeCl3溶液沉积下来,形成N-P掺杂的MoC@C/普鲁士蓝。最后,再将N-P掺杂的MoC@C/普鲁士蓝分散于乙醇溶液中超声处理,再固定于石墨毡上,形成N-P掺杂的碳化钼@C/普鲁士蓝复合电极。该电化学传感器可外推两个线性范围用于多巴胺的检测。两个线性范围中,一个是0.18~30 μmol·L-1,对应的灵敏度为0.268 μA·μmol-1;另一个在30~280 μmol·L-1,检测的灵敏度为 0.045 μA·μmol-1,显示的检测限低至 0.011 μmol·L-1; 另外,在存在常见干扰的情况下,该电极对多巴胺的选择性也极高,并具有长期工作稳定性。该传感器已用于人类血清10倍稀释液的量化分析,结果理想。
Cho等[10]以CVD法制备Mo(C,N)薄膜,并研究Mo(C,N)薄膜制备中氢的影响。这种薄膜是用等离子强化CVD法以2-叔丁基利米多-2-2甲基胺钼为钼前驱体,以氩气为载流气体,用氢气还原制备的。薄膜的沉积温度为150 ℃,工作压力1.3 Pa。制备过程中,脉冲直流等离子的负压为600 V,频率150 kHz,脉冲转换时间1 s。
图2 硅晶片上沉积的 Mo(C,N)薄膜的x-射线衍射图
研究显示,氢气氛减小了膜的沉积速率和表面粗糙度,提升膜的硬度。在氢气流量大于300 sccm条件下,薄膜硬度达到26 GPa以上,粘附强度达到30 N。X射线衍射检测显示形成了六方相的碳化钼及混合有碳化钼的纳米晶氮化钼。在H2的作用下,多孔的MoxNy转化为纳米晶Mo2N。
金等[11]采用了研磨后超声和离心分离方法制备了二硫化钼纳米片,通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对以不同离心速度分离的二硫化钼纳米片进行了表征,并通过循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)在磺胺甲恶唑溶液中对二硫化钼纳米片修饰的玻碳电极进行了电化学行为研究。结果显示,磺胺甲恶唑在二硫化钼修饰电极的循环伏安图上有一对氧化还原峰,其峰电流值与扫描速度的平方根成正比,是扩散控制过程。DPV扫描结果显示,磺胺甲恶唑的峰电流与其浓度之间存在着明显的线性关系。研磨超声方法制备出的二硫化钼纳米片层状材料在电极上能够加速电子的转移和传输,从而有效提高峰电流值,为进一步研制能准确测定磺胺甲恶唑的电化学传感器提供了一种可选择的材料。
Borisyuk等[12]研究钼薄膜的制备。作者团队以磁控溅射气相沉积的方法制备钼薄膜,而这种薄膜是由直径为3.5~5.5 nm的粒子组成的。将钼薄膜暴露于氧化气氛中形成了MoOx包裹Mo微粒的 “核壳”结构,使薄膜的结构改变,变成了Mo@MoOx的 “核壳”结构。研究结果显示,具有Mo@MoOx“核壳”结构的钼薄膜的吸收窗落在190~300 nm范围,因此可以用于单光子的探测,例如检测Th-229等弱紫外线信号。
文章来源:《化学工程师》 网址: http://www.hxgcszz.cn/qikandaodu/2021/0708/776.html
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